[发明专利]半导体器件结构及制作该半导体器件结构的方法无效
| 申请号： | 201010263270.3 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102376754A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 制作 方法 | ||
1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：
前端器件层结构；
紫外光屏蔽层，所述紫外光屏蔽层形成在所述前端器件层结构的表面；以及
应力层，所述应力层形成在所述紫外光屏蔽层的上方。
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述应力层为经过紫外线照射后的应力层。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述应力层用作刻蚀停止层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述紫外光屏蔽层为氮氧化硅层。
5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为100～150埃。
6.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其特征在于，所述氮氧化硅层的反射率为1.9～2.1，吸光系数为0.4～0.7。
7.根据权利要求1或2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述应力层至少为2层。
8.根据权利要求1或2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述应力层为氮化硅层。
9.一种制作如权利要求1至8任一项所述的半导体器件结构的方法，其特征在于，所述方法包括：
a)提供前端器件层结构；
b)在所述前端器件层结构的表面形成紫外光屏蔽层；以及
c)在所述紫外光屏蔽层的上方形成应力层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
d)用紫外线照射所述应力层。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，依次重复执行所述步骤c)和d)至少2次。
12.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述应力层用作刻蚀停止层。
13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述紫外光屏蔽层为氮氧化硅层。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积方法形成所述氮氧化硅层。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，生成所述氮氧化硅层的反应气体包括硅烷和氧化氮。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述硅烷的流速为300～400sccm，所述氧化氮的流速为600～800sccm，射频电源的频率为150～300Hz，温度为400～480℃。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为100～150埃。
18.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述氮氧化硅层的反射率为1.9～2.1，吸光系数为0.4～0.7。
19.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述应力层为氮化硅层。
20.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述紫外线照射的功率为2000～4000W。
21.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述紫外线照射的温度为350～480℃。
22.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述紫外线照射的时间为2～3min。
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