[发明专利]磁通道结存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 201010263258.2 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102376871A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;张海洋;胡敏达 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;徐丁峰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁通道结存储单元及其制造方法，所述磁通道结存储单元包括：下电极；上电极，位于所述下电极的上方；磁通道结，夹置在所述下电极和所述上电极之间；以及侧壁结构，形成在所述磁通道结两侧。根据本发明的磁通道结存储单元在不增大磁通道结的线宽的前提下，能克服由于介电层的缺损而导致上下电极之间形成电连接的问题，从而避免磁通道结存储单元失效。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 结存 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁通道结存储单元，包括：下电极；上电极，位于所述下电极的上方；磁通道结，夹置在所述下电极和所述上电极之间；以及侧壁结构，形成在所述磁通道结两侧。
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