[发明专利]磁通道结存储单元及其制造方法

权利要求书

1.一种磁通道结存储单元，包括：

下电极；

上电极，位于所述下电极的上方；

磁通道结，夹置在所述下电极和所述上电极之间；以及

侧壁结构，形成在所述磁通道结两侧。

2.如权利要求1所述的磁通道结存储单元，其特征在于，所述侧壁结构的宽度与所述磁通道结的宽度之和大于等于所述上电极的宽度。

3.如权利要求1所述的磁通道结存储单元，其特征在于，所述侧壁结构包含至少一层氧化物层和至少一层氮化物层，其中所述至少一层氧化物层中的每一层和所述至少一层氮化物层中的每一层交替排列，并且所述侧壁结构的最内层为氧化物层。

4.如权利要求1所述的磁通道结存储单元，其特征在于，所述侧壁结构包含一层氧化物层和一层氮化物层，并且所述侧壁结构的最内层为氧化物层。

5.如权利要求3或4所述的磁通道结存储单元，其特征在于，所述氮化物层的材料为氮化硅或掺碳的氮化硅。

6.如权利要求1所述的磁通道结存储单元，其特征在于，在所述下电极未被所述磁通道结覆盖的上表面以及所述磁通道结与所述侧壁结构之间还包含阻挡层。

7.一种制造磁通道结存储单元的方法，包括：

提供下电极；

在所述下电极上形成磁通道结；

在所述磁通道结两侧形成侧壁结构；以及

在所述磁通道结上形成上电极。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述侧壁结构的宽度与所述磁通道结的宽度之和大于等于所述上电极的宽度。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述侧壁结构的方法包括：

在所述下电极和所述磁通道结上形成至少一层氧化物层和至少一层氮化物层，其中所述至少一层氧化物层中的每一层和所述至少一层氮化物层中的每一层交替排列，并且最内层为氧化物层；以及

刻蚀所述至少一层氧化物层和所述至少一层氮化物层，形成所述侧壁结构。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述侧壁结构的方法包括：

在所述下电极和所述磁通道结上依次形成一层氧化物层和一层氮化物层；以及

刻蚀所述氧化物层和所述氮化物层，形成所述侧壁结构。

11.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述氮化物层的材料为氮化硅或掺碳的氮化硅。

12.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述上电极的方法包括：

在所述下电极和形成有所述侧壁结构的所述磁通道结上形成介电层；

在所述介电层中所述磁通道结的正上方形成开口；

在所述开口中填充导电材料，形成所述上电极。

13.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述下电极和所述磁通道结上形成阻挡层。

14.一种磁性随机存储器，其特征在于，所述磁性随机存储器包含如权利要求1所述的磁通道结存储单元。

15.一种包含如权利要求14所述的磁性随机存储器的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。