[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法以及显示装置无效
申请号: | 201010261249.X | 申请日: | 2010-08-23 |
公开(公告)号: | CN102034832A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 长尾护;小林宣裕;后藤裕史 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管基板,其在薄膜晶体管中具有透明导电膜和Al合金膜直接连接的结构,或者具有透明导电膜和Al膜隔着阻障金属层而连接的结构,在其制造工序中,不设置防腐蚀用涂料的涂敷或剥离之类的工序,就能够防止针孔。本发明为在薄膜晶体管中具有透明导电膜和Al合金膜直接连接的结构、或者具有透明导电膜和Al膜隔着阻障金属层而连接的结构的薄膜晶体管基板,在所述透明导电膜存在针孔的部位,在该部位的基底Al合金膜或基底Al膜的表面形成有厚度为3.5nm以上的氧化被膜。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管基板,其特征在于,其在薄膜晶体管中具有透明导电膜和Al合金膜直接连接的结构,在所述透明导电膜存在针孔的部位,在该部位的基底Al合金膜表面形成有厚度为3.5nm以上的氧化被膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的