[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，其在薄膜晶体管中具有透明导电膜和Al合金膜直接连接的结构，

在所述透明导电膜存在针孔的部位，在该部位的基底Al合金膜表面形成有厚度为3.5nm以上的氧化被膜。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述Al合金膜含有合计2.5原子％以下且不包括0原子％的选自Ni、Co、Ag及Cu中的1种以上的元素。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述Al合金膜含有合计2.0原子％以下且不包括0原子％的稀土元素。

4.如权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管基板，其中，所述Al合金膜含有2.0原子％以下且不包括0原子％的Ge。

5.如权利要求1～4中任一项所述的薄膜晶体管基板，其适用于显示装置的压接部。

6.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，其在薄膜晶体管中具有透明导电膜和Al膜隔着阻障金属层而连接的结构，

在所述透明导电膜存在针孔的部位，在该部位的基底Al膜表面形成有厚度为3.5nm以上的氧化被膜。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其中，所述Al膜含有合计2.0原子％以下且不包括0原子％的稀土元素。

8.如权利要求6或7所述的薄膜晶体管基板，其适用于显示装置的压接部。

9.如权利要求1～8中任一项所述的薄膜晶体管基板，其中，在60℃且相对湿度为90％的湿润环境下曝露500小时后的针孔腐蚀密度，在1000倍光学显微镜观察视野内为0.15个/100μm²以下。

10.一种显示装置，其具备权利要求1～9中任一项所述的薄膜晶体管基板。

11.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，当制造权利要求1～5、9中任一项所述的薄膜晶体管基板时，在形成透明导电膜和Al合金膜直接连接的结构后，在氧等离子体气氛下进行O₂灰化处理。

12.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，当制造权利要求6～9中任一项所述的薄膜晶体管基板时，在形成透明导电膜和Al膜连接的结构后，在氧等离子体气氛下进行O₂灰化处理。

13.如权利要求11或12所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其中，O₂灰化处理的处理时间为3分钟以上和/或处理功率为100W以上。