[发明专利]一种二极管台面处理工艺无效
| 申请号： | 201010260856.4 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101937845A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 陆国华;吴亚红;陈炎;董建林 | 申请（专利权）人： | 如皋市日鑫电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所 11316 | 代理人： | 赵绍增 |
| 地址： | 226500 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明主要公开了一种二极管台面处理工艺，主要由台面腐蚀、钝化、清洗、高纯水超声清洗四大步骤构成；其特征在于：所述台面清洗为：采用氢氧化钠或氢氧化钾清洗液，在温度为25±3；时间为120-300秒下一次清洗完成。采用上述台面处理工艺，对台面用清洗溶液进行一次性处理，省料省时；另外该工艺处理所得的成品的高温特征为：150℃的温度下，漏电流为小于30毫安。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 台面 处理 工艺 | ||
【主权项】：
一种二极管台面处理工艺，主要由台面腐蚀、钝化、清洗、高纯水超声清洗四大步骤构成；其特征在于：所述台面清洗为：采用氢氧化钠或氢氧化钾清洗液，在温度为25±3℃；时间为120‑300秒下一次清洗完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
