[发明专利]一种二极管台面处理工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种二极管台面处理工艺，具体是一种由台面腐蚀、钝化、清洗、高纯水超声清洗四大步骤构成的二极管台面处理工艺。

背景技术

传统的台面清洗为用氨水、双氧水和水进行两次清洗或用铬酸进行清洗，该工艺的缺点在于清洗液用料多增加成本；清洗工序多降低效率；所得产品在150℃的温度下，漏电流为50毫安，产品性能一般。

发明内容

本发明的主要任务在于提供一种二极管台面处理工艺，具体是一种能有效减少台面处理工艺，降低成本，提高产品性能的二极管台面处理工艺。

为了解决以上技术问题，本发明的一种二极管台面处理工艺，主要由台面腐蚀、钝化、清洗、高纯水超声清洗四大步骤构成；其特征在于：所述台面清洗为：采用氢氧化钠或氢氧化钾清洗液，在温度为25±3；时间为120-300秒下一次清洗完成。

进一步地，所述氢氧化钠或氢氧化钾浓度为0.3％±5。

本发明的优点在于：采用上述台面处理工艺，对台面用清洗溶液进行一次性处理，省料省时；另外该工艺处理所得的成品的高温特征为：150℃的温度下，漏电流为小于30毫安。

附图说明

图为本发明的结构示意图。

具体实施方式

如图所示，所述二极管由电极1、焊片2、芯片3、焊片4、电极5焊接为一体，焊接后在两电极之间用硅橡胶或聚酰亚胺胶6密封，再在其组成的整体外表面用环氧树脂进行封装组成。

接下来对上述的芯片台面进行处理，具体步骤如下：

首先进行台面腐蚀：选取混合酸作腐蚀液，具体为：硫酸∶硝酸∶氢氟酸∶冰乙酸(体积比)＝4∶9∶9∶12，然后在温度为25±3的温度下腐蚀120-300秒，腐蚀一次。

第二步是台面钝化。钝化时，使用的为体积比为：双氧水∶磷酸∶水(体积比)＝2∶1∶3的溶剂，将芯片台面置于该溶剂中，以70-85℃的温度钝化120-300秒，钝化一次。

第三步清洗：清洗液为浓度0.3％±5的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，清洗温度为25±3；清洗时间为120-300秒，清洗一次。

最后进行高纯水循环超声清洗：在常温下，按以下标准清洗一次即可：高纯水流量为3吨/小时，超声频率控制在50-150赫兹；清洗时间为240-600秒。