[发明专利]真空处理装置无效
| 申请号: | 201010260699.7 | 申请日: | 2010-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN102347256A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
| 发明(设计)人: | 矶村僚一;田内勤;近藤英明 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 史雁鸣 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种真空处理装置,包括:第一输送容器,所述第一输送容器连接到连接于大气输送容器的背面侧的锁定室的后方侧,在内部具有输送晶片的第一机器人;第二输送容器,所述第二输送容器配置在该第一输送容器的后方侧,与该第一输送室连接,在内部具有输送前述晶片的第二机器人;中转容器,所述中转容器将前述第一输送容器和第二输送容器之间连接,在内部备有在前述第一及第二机器人之间交接前述晶片的容纳部;处理容器,所述处理容器连接到与第二输送容器的周围的前述中转容器大致成直角侧,在内部的处理室中,处理前述晶片;前述第一机器人,具有分别独立地、在夹持旋转轴的两侧的方向上伸缩的两个臂,前述第二机器人,具有分别在围绕旋转轴的同一个方向上伸缩的两个臂。 | ||
| 搜索关键词: | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种真空处理装置,包括:大气输送容器,所述大气输送容器在前表面侧配置有载置内部容纳有作为处理对象的晶片的盒的盒台,并且在大气压下在其内部输送前述晶片;至少一个锁定室,所述锁定室在前述大气输送容器的背面侧与之连接并且并列地配置,能够在大气压力和被减压的压力之间调节能够容纳前述晶片的内部的压力;第一输送容器,所述第一输送容器在前述锁定室的后方侧与之连接,具有在被减压到规定的真空度的内部输送前述晶片的第一机器人;第二输送容器,所述第二输送容器,配置在该第一输送室的后方侧,与该第一输送室连接,具有在被减压到前述真空度的内部输送前述晶片的第二机器人;中转容器,所述中转容器位于前述第一输送容器与第二输送容器之间,在隔着前述第一输送容器而与前述锁定室相反的一侧将它们连接起来配置,在气密性地被密封的内部配备有容纳部,该容纳部在前述第一及第二机器人之间交接前述晶片;处理容器,所述处理容器连接到与第二输送容器的周围的前述中转容器大致成直角侧,在内部的处理室处理前述晶片;前述第一机器人具有两个臂,所述两个臂的每一个的根部可围绕配置在前述第一输送容器内的轴旋转地配置,在前端部配置有晶片保持部,并且在夹持前述轴的两侧的方向上伸缩,使前述晶片保持部移动,所述第二机器人具有两个臂,所述两个臂的每一个的根部可围绕配置在前述第二输送容器内的轴旋转地配置,在前端部配置有晶片保持部,并且在围绕所述轴的相同的方向上伸缩,使前述晶片保持部移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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