[发明专利]半导体集成电路制造中无损伤的表面平坦化的方法无效
| 申请号： | 201010257671.8 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102376544A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 苏波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体集成电路制造中无损伤的表面平坦化的方法，第一步、在具有凸凹表面图形结构的硅片上涂布感光材料；第二步、采用与凸凹表面图形结构相适配的掩模版对涂布有感光材料的硅片进行曝光处理；第三步、对曝光后的硅片表面进行显影处理。本发明实施简单，可操作性强，能满足后续工艺步骤对平整度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 制造 损伤 表面 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种无损伤的表面平坦化的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在具有凸凹表面图形结构的硅片上涂布感光材料；步骤二、采用与所述凸凹表面图形结构相适配的掩模版对涂布有感光材料的硅片进行曝光处理；步骤三、对曝光后的硅片表面进行显影处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
