[发明专利]半导体集成电路制造中无损伤的表面平坦化的方法

权利要求书

1.一种无损伤的表面平坦化的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在具有凸凹表面图形结构的硅片上涂布感光材料；

步骤二、采用与所述凸凹表面图形结构相适配的掩模版对涂布有感光材料的硅片进行曝光处理；

步骤三、对曝光后的硅片表面进行显影处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中所述的感光材料是光刻胶。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中所述的感光材料可以是正性感光材料也可以是负性感光材料，适用于G-line、H-line、I-line、DUV或EUV甚至更短波长。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：当硅片上涂布负性感光材料时，采用与凸凹表面图形结构相同的掩模版或者采用包含凸凹表面图形结构的掩模版；当硅片上涂布正性感光材料时，采用与凸凹表面图形结构相反的掩模版。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中所述掩模板可以是与凸凹表面图形结构相同的掩模版，也可以是与凸凹表面图形结构相反的掩模版，还可以是包含凸凹表面图形结构的掩模版；当硅片上涂布负性感光材料时，采用与凸凹表面图形结构相同的掩模版或者采用包含凸凹表面图形结构的掩模版；当硅片上涂布正性感光材料时，采用与凸凹表面图形结构相反的掩模版。