[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201010255093.4 | 申请日: | 2006-11-29 |
公开(公告)号: | CN101937916A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 林崇弘;丰岛俊辅;坂本和夫;森野直纯;田中一雄 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/00;H01L23/528 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;李峥宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体设备,包括:半导体芯片;输出电路(11),在半导体芯片中成行布置,输出电路中的每个包括彼此耦合的第一MISFET(27)和第二MISFET(21);键合焊盘(4);布线(M7),其中的每个布线布置在键合焊盘中的每个之下;导电塞(PG),其中的每个导电塞布置在键合焊盘中的每个以及布线中的每个之间;接地布线(7),布置在键合焊盘之下,并且耦合至输出电路中的每个的第一MISFET;以及电源布线(8),布置在键合焊盘之下,并且耦合至输出电路中的每个的第二MISFET,其中在平面视图中,布线中的每个以及导电塞中的每个位于输出电路中的每个的第一MISFET和第二MISFET之间,以及其中在平面视图中,布线中的每个以及导电塞中的每个位于接地布线和电源布线之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体设备,包括:半导体芯片;输出电路(11),在所述半导体芯片中成行布置,所述输出电路中的每个包括彼此耦合的第一MISFET(27)和第二MISFET(21);键合焊盘(4),布置在所述半导体芯片中,在平面视图中,所述键合焊盘中的每个与所述输出电路中的每个相重叠;布线(M7),其中的每个布线布置在所述键合焊盘中的每个之下;在平面视图中,所述键合焊盘中的每个与所述布线中的每个相重叠;导电塞(PG),其中的每个导电塞布置在所述键合焊盘中的每个以及所述布线中的每个之间,所述导电塞中的每个将所述键合焊盘中的每个以及所述布线中的每个进行耦合,所述键合焊盘中的每个以及所述布线中的每个耦合至所述输出电路中的每个的所述第一MISFET和所述第二MISFET;接地布线(7),布置在所述键合焊盘之下,并且耦合至所述输出电路中的每个的所述第一MISFET;以及电源布线(8),布置在所述键合焊盘之下,并且耦合至所述输出电路中的每个的所述第二MISFET,其中在平面视图中,所述布线中的每个以及所述导电塞中的每个位于所述输出电路中的每个的所述第一MISFET和所述第二MISFET之间,以及其中在平面视图中,所述布线中的每个以及所述导电塞中的每个位于所述接地布线和所述电源布线之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的