[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201010255093.4 | 申请日: | 2006-11-29 |
公开(公告)号: | CN101937916A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 林崇弘;丰岛俊辅;坂本和夫;森野直纯;田中一雄 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/00;H01L23/528 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;李峥宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
本申请是申请号为200610162907.3、申请日为2006年11月29日、发明名称为“半导体器件”的中国专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2005年11月30日提交的日本专利申请No.2005-345347的优先权,据此将其内容通过参考引入到本申请中。
技术领域
本发明涉及一种半导体器件,且特别地涉及一种可应用于具有键合焊盘的半导体器件的有效技术。
背景技术
在由例如单晶硅等制成的半导体晶片上形成各种半导体集成电路,且然后通过划片将半导体晶片分割成半导体芯片,从而制造出芯片形状的半导体器件。在半导体器件的主表面上,沿着半导体器件的外围提供了作为外部端子的多个键合焊盘。
日本未审专利公开No.Hei 09(1997)-283632(专利文件1)阐述了这样的技术:在具有三个或多个布线层的半导体器件中,在所述布线层上沿着半导体芯片的外围交错了多行键合焊盘,其中将内行中的键合焊盘电连接到内部电路的第一引线布线由至少包括最上层的布线的一个或多个布线层形成,而将外行中的键合焊盘电连接到内部电路的第二引线布线由与第一引线布线不同的多个布线形成。
日本未审专利公开No.2003-163267(专利文件2)公开了这样的技术:在设置有单元部分和形成为围绕该单元部分的缓冲电路的半导体器件中,将多个键合焊盘形成在缓冲电路的外围上方和缓冲电路上方,并在缓冲电路的外围上方和缓冲电路上方交错。
(专利文件1)日本未审专利公开No.Hei 09(1997)-283632
(专利文件2)日本未审专利公开No.2003-163267
发明内容
本发明人的研究公开如下。
近年来,出现了对半导体器件小型化和增加其端子的需求。使键合焊盘交错缩短了键合焊盘的有效间距,这样能够针对同样大小的半导体器件形成更多的键合焊盘并增加其端子的数目。
在每个键合焊盘上设置输入/输出电路,且沿着半导体器件的外围形成电源布线。该输入/输出电路包括在构成半导体器件的半导体衬底上形成的各种元件。该输入/输出电路根据需要连接到键合焊盘和电源布线。由于键合焊盘通过最上面的金属层形成,所以要连接到构成输入/输出电路的元件的布线需要被上引,以连接到用于键合焊盘的金属层。如果上引部分设置在输入/输出电路形成区域的端部,且键合焊盘比上引部分布置地更靠外,则由于该键合焊盘而需要增加半导体器件的平面尺寸。特别地,如果使键合焊盘交错,则可以将外围内侧上的键合焊盘布置得比上述上引部分更靠内,而外围外侧上的键合焊盘需要布置得比上引部分更靠外,从而由于外围外侧上的键合焊盘而需要增加半导体器件的平面尺寸。这对于使半导体器件小型化而言是不利的。
当通过同一层的金属层来形成电源布线和键合焊盘时,如果通过绕输入/输出电路的迂回来布置电源布线,则电源布线的宽度减小,这降低了电流密度。如果增加电源布线的宽度以保持电流密度,则增加了平面尺寸。这对于使半导体器件小型化而言也是不利的。
本发明的目的是提供一种能够减小半导体器件的尺寸或平面尺寸的技术。
从说明书和附图的描述,本发明的以上和其他目的以及新颖特征将变得更清楚。
以下是对本申请中公开的发明的典型发明的概要的简要描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的