[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010255044.0 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102110637A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 金原圭;郑台愚;申昶希 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，其包括步骤：在衬底上形成氮化物图案及硬掩模图案；通过将所述硬掩模图案作为蚀刻阻挡物蚀刻所述衬底来形成沟槽；形成填充所述沟槽的氧化物层；对所述氧化物进行平坦化工艺直至暴露所述氮化物图案为止；以及通过使用等离子体的干法剥离工艺来去除所述氮化物图案。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成氮化物图案及硬掩模图案；通过将所述硬掩模图案作为蚀刻阻挡物来蚀刻所述衬底来形成沟槽；形成填充所述沟槽的氧化物层；对所述氧化物层进行平坦化工艺直至暴露所述氮化物图案为止；以及通过使用等离子体的干法剥离工艺去除所述氮化物图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
