[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成氮化物图案及硬掩模图案；

通过将所述硬掩模图案作为蚀刻阻挡物来蚀刻所述衬底来形成沟槽；

形成填充所述沟槽的氧化物层；

对所述氧化物层进行平坦化工艺直至暴露所述氮化物图案为止；以及

通过使用等离子体的干法剥离工艺去除所述氮化物图案。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述干法剥离工艺使用相对所述氧化物层具有蚀刻选择性的气体。

3.如权利要求1所述的方法，其中，使用氢氟碳化物气体CH_xF_y来进行所述干法剥离工艺，其中x与y为自然数。

4.如权利要求3所述的方法，其中，使用所述氢氟碳化物气体与四氟甲烷CF₄的混合物或所述氢氟碳化物气体与甲烷CH₄的混合物来进行所述干法剥离工艺。

5.如权利要求3所述的方法，其中，所述氢氟碳化物气体包括选自三氟甲烷CHF₃、二氟甲烷CH₂F₂及一氟甲烷CH₃F中的至少一种气体。

6.如权利要求1所述的方法，其中，使用氢氟碳化物气体与氧气O₂的混合物来进行所述干法剥离工艺。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述氧气的流量范围为所述氢氟碳化物气体的流量的约20％至约400％。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在去除所述氮化物图案之前将所述氧化物层去除至一定深度。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述去除所述氮化物图案包括：

同时将所述氧化物层去除至一定深度。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成氮化物图案及硬掩模图案；

通过将所述硬掩模图案作为蚀刻阻挡物蚀刻所述衬底来形成第一沟槽及第二沟槽，其中第二沟槽具有比第一沟槽大的宽度；

形成填充所述第一沟槽及第二沟槽的氧化物层；

对所述氧化物层进行平坦化工艺直至暴露所述氮化物图案为止；以及

通过使用等离子体的干法剥离工艺去除所述氮化物图案。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述干法剥离工艺使用相对所述氧化物层具有蚀刻选择性的气体。

12.如权利要求10所述的方法，其中，通过使用氢氟碳化物气体CH_xF_y来进行所述干法剥离工艺，其中x与y为自然数。

13.如权利要求12所述的方法，其中，通过使用所述氢氟碳化物气体和四氟甲烷CF₄的混合物或所述氢氟碳化物气体与甲烷CH₄的混合物来进行所述干法剥离工艺。

14.如权利要求12所述的方法，其中，所述氢氟碳化物气体包括选自三氟甲烷CHF₃、二氟甲烷CH₂F₂及一氟甲烷CH₃F中的至少一种气体。

15.如权利要求10所述的方法，其中，使用氢氟碳化物气体及氧气O₂来进行所述干法剥离工艺。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述氧气的流量范围为所述氢氟碳化物气体流量的约20％至约400％。

17.如权利要求10所述的方法，进一步包括：

在去除所述氮化物图案之前，将所述氧化物层去除至一定深度。

18.如权利要求10所述的方法，其中，所述去除所述氮化物图案包括：

同时将所述氧化物层去除至一定深度。

19.如权利要求10所述的方法，其中，所述第一沟槽形成于单元区域中，所述第二沟槽形成于外围区域中。