[发明专利]一种含有表面等离子体荧光增强的纳米复合结构的薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010252896.4 申请日: 2010-08-13
公开(公告)号: CN101906298A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 杨萍;张爱玉;曹永强 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/88;C09K11/70;B82B3/00
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 李桂存
地址: 250022 山东省济南*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种含有表面等离子体荧光增强的纳米复合结构的薄膜,该薄膜的组分为带有氨基的SiO2和具有纳米复合结构的复合纳米粒子,复合纳米粒子的内核为金属纳米粒子,外层为量子点,所述金属纳米粒子和量子点之间通过SiO2层连接,SiO2层的厚度为4~30nm。该薄膜中的纳米复合结构引起的表面等离子体荧光增强效应使得薄膜中量子点的荧光量子效率大幅度提高,并且其闪烁效应被消除。本发明还公开了本薄膜的制备方法,本发明的制备方法制得的纳米复合结构的薄膜克服了量子点的缺点,这对于量子点在医药、生物探测、光电转换、拉曼散射,尤其是作为单一光子源在量子编码领域的应用具有重要意义。
搜索关键词: 一种 含有 表面 等离子体 荧光 增强 纳米 复合 结构 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种含有表面等离子体荧光增强的纳米复合结构的薄膜,其特征是:组分为质量比为1:0.7~14的带有氨基的SiO2和具有纳米复合结构的复合纳米粒子; 所述带有氨基的SiO2的化学式为SiO3CxNH2x~2x+2,x = 1~3;所述复合纳米粒子为金属纳米粒子/SiO2/量子点复合纳米粒子,复合纳米粒子内核为金属纳米粒子,外层为量子点,金属纳米粒子和量子点之间通过SiO2层连接,SiO2层的厚度为4 ~ 30 nm,组分为Si1 yO2 y[SiO3CxNH2x~2x+2]y, x = 1~3,y = 0.05% ~1%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南大学,未经济南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010252896.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top