[发明专利]一种磁阻传感器的制造方法无效
| 申请号： | 201010251017.6 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101969098A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 程学国;闫海秋 | 申请（专利权）人： | 上海腾怡半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 201206 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁阻传感器的制造方法，在已制作完信号处理电路的硅片表面的绝缘介质层上刻蚀出一平整的浅槽，具体包括：在绝缘介质层上涂覆一层第一光刻胶；将涂覆了第一光刻胶的硅片进行第一次烘胶；在进行了第一次烘胶的硅片上再涂覆一层第二光刻胶，所述第一和第二光刻胶中的一个为正性光刻胶，所述第一和第二光刻胶中的另一个为负性光刻胶；将涂覆了所述第二光刻胶的硅片进行第二次烘胶；对所述第二光刻胶进行曝光；所述第二光刻胶显影形成刻蚀窗口；在所述刻蚀窗口中对所述第一光刻胶和硅片表面的绝缘介质层进行刻蚀以在所述刻蚀窗口中形成平整的浅槽；去除硅片表面的第一和第二光刻胶。该方法可实现将磁阻金属条制作在同一个平整的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁阻 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻传感器的制造方法，在已制作完信号处理电路的硅片表面的绝缘介质层上刻蚀出一平整的浅槽，包括：在所述绝缘介质层上涂覆一层第一光刻胶；将涂覆了所述第一光刻胶的硅片进行第一次烘胶；在进行了第一次烘胶的硅片上再涂覆一层第二光刻胶，所述第一和第二光刻胶中的一个为正性光刻胶，所述第一和第二光刻胶中的另一个为负性光刻胶；将涂覆了所述第二光刻胶的硅片进行第二次烘胶；对所述第二光刻胶进行曝光；所述第二光刻胶显影形成刻蚀窗口；在所述刻蚀窗口中对所述第一光刻胶和所述硅片表面的绝缘介质层进行刻蚀以在所述刻蚀窗口中形成平整的浅槽；去除硅片表面的所述第一和第二光刻胶。
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