[发明专利]一种磁阻传感器的制造方法

权利要求书

1.一种磁阻传感器的制造方法，在已制作完信号处理电路的硅片表面的绝缘介质层上刻蚀出一平整的浅槽，包括：

在所述绝缘介质层上涂覆一层第一光刻胶；

将涂覆了所述第一光刻胶的硅片进行第一次烘胶；

在进行了第一次烘胶的硅片上再涂覆一层第二光刻胶，所述第一和第二光刻胶中的一个为正性光刻胶，所述第一和第二光刻胶中的另一个为负性光刻胶；

将涂覆了所述第二光刻胶的硅片进行第二次烘胶；

对所述第二光刻胶进行曝光；

所述第二光刻胶显影形成刻蚀窗口；

在所述刻蚀窗口中对所述第一光刻胶和所述硅片表面的绝缘介质层进行刻蚀以在所述刻蚀窗口中形成平整的浅槽；

去除硅片表面的所述第一和第二光刻胶。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶为正性光刻胶，所述第二光刻胶为负性光刻胶。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在涂覆所述第二光刻胶之前先将所述进行了第一次烘胶的硅片放入环己烷中浸泡，浸泡时间在5-15分钟。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述正性光刻胶的厚度为500nm。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述负性光刻胶为环化橡胶负性光刻胶。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述负性光刻胶的厚度为2μm。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀窗口中对所述第一光刻胶和所述硅片表面的绝缘介质层进行刻蚀包括采用SiO₂干法刻蚀方法，所述第一光刻胶和所述硅片表面的绝缘介质层的刻蚀速率相等。

8.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述平整的浅槽中形成用于感应磁场的磁阻金属条，包括：

在形成了所述平整的浅槽的硅片表面上涂覆一层剥离用负性光刻胶以光刻出图形，以使除所述浅槽外的硅片表面都覆盖有所述剥离用负性光刻胶；

在所述硅片表面上淀积一层磁阻金属材料；

剥离所述剥离用负性光刻胶，同时去除所述剥离用负性光刻胶上的所述磁阻金属材料，保留所述浅槽中的磁阻金属材料以形成所述磁阻金属条。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在涂覆所述剥离用负性光刻胶之前先涂覆一层OmniCoat层。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述剥离用负性光刻胶的厚度为5μm。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述硅片表面上淀积一层磁阻金属材料包括采用磁控溅射方法。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述硅片表面上淀积一层磁阻金属材料包括采用电子束蒸发方法。

13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述磁阻金属材料包括坡莫合金。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述坡莫合金为Fe19Ni81合金。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述Fe19Ni81合金的厚度为200nm。

16.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括采用专门剥离液剥离所述剥离用负性光刻胶。

17.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括在强氧化性的酸溶液中剥离所述剥离用负性光刻胶。

18.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括制作金属连线以电连接所述磁阻金属条与所述信号处理电路的金属布线，包括：

在已经制作了所述磁阻金属条的硅片表面采用一正性光刻胶光刻出通孔窗口；

在所述通孔窗口中采用干法刻蚀方法刻蚀出通孔，以将所述信号处理电路的金属布线的金属引出端暴露出来；

去除正性光刻胶；

在去除正性光刻胶后的硅片表面淀积一层金属；

采用一正性光刻胶光刻；

使用金属干法刻蚀方法进行刻蚀，刻蚀掉没有正性光刻胶屏蔽的金属；

去除正性光刻胶。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，在硅片表面淀积一层金属包括采用磁控溅射方法。