[发明专利]一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法有效
| 申请号： | 201010250781.1 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101913553A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 杜晓松;廖明杰;王力;蒋亚东;严炎;郝敏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法，包括以下步骤：首先在第一硅片上形成金的掩模图形，然后利用金掩模对第一硅片进行干法刻蚀或者湿法腐蚀，形成体硅微结构，最后将第二硅片置于上述已形成图形结构的第一硅片上，进行金硅键合。本发明巧妙地应用了金薄膜层，使其既作为形成硅微结构的刻蚀工艺的掩蔽层，同时也作为后续共晶键合工艺中的粘接层。在传统工艺中，硅的刻蚀和硅片的键合是两步独立的工艺步骤。而本发明的工艺方法有机地将刻蚀和键合融合在了一起，简化了工艺流程，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 金硅键合 复合 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：①在第一硅片上制作图案化的Cr/Au或Ti/Au薄膜作为体硅刻蚀的掩模；②对第一硅片进行湿法或干法刻蚀，形成体硅微结构；③将第二硅片置于上述已形成图形结构的第一硅片上，利用共晶键合技术实现第一硅片和第二硅片的键合。
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