[发明专利]一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法有效
| 申请号： | 201010250781.1 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101913553A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 杜晓松;廖明杰;王力;蒋亚东;严炎;郝敏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 金硅键合 复合 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
①在第一硅片上制作图案化的Cr/Au或Ti/Au薄膜作为体硅刻蚀的掩模；
②对第一硅片进行湿法或干法刻蚀，形成体硅微结构；
③将第二硅片置于上述已形成图形结构的第一硅片上，利用共晶键合技术实现第一硅片和第二硅片的键合。
2.根据权利要求1所述的体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法，其特征在于，在步骤①中采用金属剥离或金属湿法腐蚀法形成Cr/Au或Ti/Au薄膜的掩模图案。
3.根据权利要求1和2任一所述的体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法，其特征在于，Cr/Au或Ti/Au薄膜的制备方法包括真空蒸发方法或溅射方法。
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