[发明专利]成膜装置和成膜方法有效
申请号: | 201010250341.6 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN101994101A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 加藤寿;菊地宏之;牛窪繁博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/50 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置和成膜方法,使旋转工作台旋转,使BTBAS气体吸附在晶圆(W)上,接着向晶圆(W)表面供给O3气体,使其与吸附在晶圆(W)表面的BTBAS气体发生反应而形成氧化硅膜时,在形成氧化硅膜之后,由活化气体喷射器对晶圆(W)上的氧化硅膜供给Ar气体的等离子体,在每个成膜循环都进行改性处理。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,该成膜装置通过将基板载置在真空容器内的工作台上的基板载置区域,依次向基板供给至少两种反应气体,并且多次执行该供给循环,从而层叠反应生成物的层而形成薄膜,其特征在于,该成膜装置包括:第1反应气体供给部件,其用于向上述基板供给第1反应气体;第2反应气体供给部件,其用于向上述基板供给第2反应气体;活化气体喷射器,其用于使含有放电气体和电子亲和力比该放电气体大的添加气体的处理气体活化而在整个上述基板载置区域中的上述工作台中心侧的内缘和上述工作台外周侧的外缘之间生成等离子体,利用生成的等离子体对上述基板上的反应生成物进行改性处理;以及旋转机构,其用于使上述第1反应气体供给部件、上述第2反应气体供给部件以及上述活化气体喷射器与上述工作台相对旋转,上述第1反应气体供给部件、上述第2反应气体供给部件和上述活化气体喷射器被配置成在上述相对旋转时按照上述第1反应气体供给部件、上述第2反应气体供给部件和上述活化气体喷射器这样的顺序位于基板所处的位置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的