[发明专利]成膜装置和成膜方法有效
申请号: | 201010250341.6 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN101994101A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 加藤寿;菊地宏之;牛窪繁博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/50 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
1.一种成膜装置,该成膜装置通过将基板载置在真空容器内的工作台上的基板载置区域,依次向基板供给至少两种反应气体,并且多次执行该供给循环,从而层叠反应生成物的层而形成薄膜,其特征在于,
该成膜装置包括:
第1反应气体供给部件,其用于向上述基板供给第1反应气体;
第2反应气体供给部件,其用于向上述基板供给第2反应气体;
活化气体喷射器,其用于使含有放电气体和电子亲和力比该放电气体大的添加气体的处理气体活化而在整个上述基板载置区域中的上述工作台中心侧的内缘和上述工作台外周侧的外缘之间生成等离子体,利用生成的等离子体对上述基板上的反应生成物进行改性处理;
以及旋转机构,其用于使上述第1反应气体供给部件、上述第2反应气体供给部件以及上述活化气体喷射器与上述工作台相对旋转,
上述第1反应气体供给部件、上述第2反应气体供给部件和上述活化气体喷射器被配置成在上述相对旋转时按照上述第1反应气体供给部件、上述第2反应气体供给部件和上述活化气体喷射器这样的顺序位于基板所处的位置。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
上述活化气体喷射器包括:一对平行电极,其从上述基板载置区域的内缘延伸到外缘;气体供给部,其向该平行电极之间供给上述处理气体。
3.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,
上述活化气体喷射器还包括:覆盖体,其覆盖上述平行电极和上述气体供给部,并且下部开口;气流限制部,其是使该覆盖体的沿长度方向延伸的侧面的下缘部向外侧弯曲成凸缘状而形成的。
4.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
上述放电气体是从氩气、氦气、氨气、氢气、氖气、氪气、氙气和氮气中选择的气体,
上述添加气体是从氧气、臭氧气体、氢气和H2O气体中选择的气体。
5.一种成膜方法,该成膜方法通过将基板载置在真空容器内的工作台上的基板载置区域,依次向基板供给至少两种反应气体,并且多次执行该供给循环,从而层叠反应生成物的层而形成薄膜,其特征在于,
该成膜方法包括以下工序:
将基板载置在上述工作台上的上述基板载置区域的工序;
接着,从第1反应气体供给部件向上述工作台上的基板的表面供给第1反应气体,而使该第1反应气体吸附于基板的表面上的吸附工序;
接着,从第2反应气体供给部件向上述工作台上的基板的表面供给第2反应气体,而生成反应生成物的工序;
然后,利用活化气体喷射器使含有放电气体和电子亲和力比该放电气体大的添加气体的处理气体活化,在整个上述基板载置区域中的上述工作台中心侧的内缘和上述工作台外周侧的外缘之间生成等离子体,利用生成的等离子体对上述基板上的反应生成物进行改性处理的工序,
通过使上述第1反应气体供给部件、上述第2反应气体供给部件和上述活化气体喷射器与上述工作台相对旋转,按照上述吸附工序、上述生成反应生成物的工序和进行上述改性处理的工序这样的顺序多次进行上述吸附工序、上述生成反应生成物的工序和上述改性处理的工序。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的