[发明专利]一种制作高选择性半导体薄膜方法无效
| 申请号： | 201010247702.1 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102375028A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 叶甜春;闫学锋;李冬梅;刘明;侯成诚;周文;汪幸 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02;C08G73/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作高选择性半导体薄膜方法，包括：配制Fe(NO3)3溶液、表面活性剂溶液和吡咯水溶液；在冰水浴中，在剧烈搅拌下，将吡咯水溶液加入到表面活性剂溶液中，再搅拌一定时间形成吡咯与表面活性剂的混合溶液；在避光条件下，边搅拌边将配制的Fe(NO3)3溶液缓慢滴加至该吡咯与表面活性剂的混合溶液中，并继续搅拌；用0.22μm的有机过滤器过滤，滴加少量HNO3调节pH值在1至2范围内，制得可通过自组装成膜的滤液；利用该可通过自组装成膜的滤液制备增强声表面波器件选择性的敏感膜。利用本发明，获得了选择性极高的薄膜材料，可常温检测NO2。该方法所需原材料易得，实验设备成本低，实验过程简单易于操作及成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 选择性 半导体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制作高选择性半导体薄膜方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：配制Fe(NO3)3溶液、表面活性剂溶液和吡咯水溶液；步骤2：在冰水浴中，在剧烈搅拌下，将吡咯水溶液加入到表面活性剂溶液中，再搅拌一定时间形成吡咯与表面活性剂的混合溶液；步骤3：在避光条件下，边搅拌边将配制的Fe(NO3)3溶液缓慢滴加至该吡咯与表面活性剂的混合溶液中，并继续搅拌；步骤4：用0.22μm的有机过滤器过滤，滴加少量HNO3调节pH值在1至2范围内，制得可通过自组装成膜的滤液；步骤5：利用该可通过自组装成膜的滤液制备增强声表面波器件选择性的敏感膜。
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