[发明专利]一种制作高选择性半导体薄膜方法

权利要求书

1.一种制作高选择性半导体薄膜方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：配制Fe(NO₃)₃溶液、表面活性剂溶液和吡咯水溶液；

步骤2：在冰水浴中，在剧烈搅拌下，将吡咯水溶液加入到表面活性剂溶液中，再搅拌一定时间形成吡咯与表面活性剂的混合溶液；

步骤3：在避光条件下，边搅拌边将配制的Fe(NO₃)₃溶液缓慢滴加至该吡咯与表面活性剂的混合溶液中，并继续搅拌；

步骤4：用0.22μm的有机过滤器过滤，滴加少量HNO₃调节pH值在1至2范围内，制得可通过自组装成膜的滤液；

步骤5：利用该可通过自组装成膜的滤液制备增强声表面波器件选择性的敏感膜。

2.根据权利要求1所述的制作高选择性半导体薄膜方法，其特征在于，所述步骤1包括：

称取一定量的Fe(NO₃)₃、表面活性剂和吡咯单体，分别加去离子水搅拌直至完全溶解，分别得到Fe(NO₃)₃溶液、表面活性剂溶液和吡咯水溶液。

3.根据权利要求1所述的制作高选择性半导体薄膜方法，其特征在于，步骤3中所述边搅拌边将配制的Fe(NO₃)₃溶液缓慢滴加至该吡咯与表面活性剂的混合溶液中，使得在氧化聚合过程释放出含N基团的空穴，使制备的膜材料达到提高声表面波器件对NO₂气体选择性的目的。

4.根据权利要求1所述的制作高选择性半导体薄膜方法，其特征在于，所述氧化聚合实验条件选择在冰水浴中、剧烈搅拌、避光条件下进行，并且将配制的Fe(NO₃)₃缓慢滴加至该吡咯与表面活性剂的混合溶液中，是使反应充分及避免吡咯单体快速氧化，并使得由此生成的聚吡咯膜材料在常温下对NO₂气体有良好的敏感性能。

5.根据权利要求1所述的制作高选择性半导体薄膜方法，其特征在于，步骤4中所述滴加少量HNO₃调节pH值，是在调节溶液pH值的同时，使反应体系中NO₃^-浓度增加，而不引入其他的阴离子基团。