[发明专利]高取向碳纳米管薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010247437.7 | 申请日： | 2010-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101913596A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 刘俊成;张金玲 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 马俊荣 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高取向碳纳米管薄膜的制备方法，制备碳纳米管溶液并铺展到基片上制备，其特征在于碳纳米管溶液铺展到基片上时施加高压电场。通过施加高压电场、使用旋涂法或提拉法实现了碳纳米管的高取向排列，薄膜性能好，导电率提高了2～20倍，适用于单壁碳纳米管薄膜和高取向多壁碳纳米管薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 取向 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高取向碳纳米管薄膜的制备方法，制备碳纳米管溶液并铺展到基片上制备，其特征在于碳纳米管溶液铺展到基片上时施加高压电场。
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