[发明专利]高取向碳纳米管薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010247437.7 | 申请日： | 2010-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101913596A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 刘俊成;张金玲 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 马俊荣 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 取向 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高取向碳纳米管薄膜的制备方法，制备碳纳米管溶液并铺展到基片上制备，其特征在于碳纳米管溶液铺展到基片上时施加高压电场。
2.根据权利要求1所述的高取向碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于高压电场控制在1～1000kV/m。
3.根据权利要求2所述的高取向碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于高压电场施加时间为0.1秒～100小时。
4.根据权利要求1、2或3所述的高取向碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于碳纳米管水溶液的制备方法如下：
(1)将碳纳米管在强酸中超声处理0.1～100小时，经洗涤、过滤和干燥得到带有羟基和羧基的功能化碳纳米管；
(2)将功能化碳纳米管与去离子水共混，超声处理0.1～100小时，得到分散性很好的碳
纳米管水溶液。
5.根据权利要求4所述的高取向碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于强酸是浓硝酸和浓硫酸的混合酸，其体积比控制在1∶1～20。
6.根据权利要求5所述的高取向碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于功能化碳纳米管与去离子水的质量比控制为1∶5～10000。
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