[发明专利]半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201010246707.2 | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102201323A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 许志维;宋金宁;卢欣荣;牟忠一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法。该半导体制造的方法包括提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数。该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性。该方法包括根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值。该方法包括对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺。该方法包括测量该第一工艺参数的一实际值。该方法包括使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型。使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值。该方法包括对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。本发明能改良晶片性能与良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 系统 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体制造方法，包括：提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数，该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性；根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值；对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺；测量该第一工艺参数的一实际值；使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型；使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值；以及对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
