[发明专利]半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体制造方法，包括：

提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数，该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性；

根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值；

对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺；

测量该第一工艺参数的一实际值；

使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型；

使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值；以及

对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。

2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中该模型包括一方程式：DP＝a₁*P₁+a₂*P₂+b，其中DP表示该装置参数，P₁及P₂分别表示该第一及第二工艺参数，a₁及a₂是系数，以及b是常数。

3.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中该装置参数包括饱和漏极电流、临界电压、互导、互阻、饱和漏极电流均匀性、临界电压均匀性、互导均匀性以及互阻均匀性之一；以及

该工艺参数包括有源区域临界尺寸、浅沟槽绝缘阶高度、多晶硅区域临界尺寸、偏移间隔宽度临界尺寸、快速热退火温度、栅极氧化厚度以及袋注入剂量之一。

4.根据权利要求1所述的半导体制造方法，还包括：

测量该装置参数的一实际值；

使用该装置参数的该实际值更新该模型；

测量该第二工艺参数的一实际值；

对应该第一工艺参数的该目标值、该第一工艺参数的该实际值以及其组合之一决定该第一工艺参数的一最佳化目标值；以及

对应该第二工艺参数的该目标值、该第二工艺参数的该实际值、该第一工艺参数的该实际值及其组合之一决定该第二工艺参数的一最佳化目标值。

5.一种制造一半导体装置的方法，包括：

根据一第二参数的一目标值决定一第一参数的一目标值；

对应该第一参数的该目标值操作一第一制造工具；

测量该第一参数的一实际值；

根据该第二参数的该实际值及该第一参数的该目标值决定一第三参数的一目标值；以及

对应该第三参数的该目标值操作一第二制造工具；

其中该第二参数是该第一及第三参数的一函数；

其中该第一及第三参数对应一半导体晶片的物理特性，及该第二参数对应该半导体晶片的一电特性。

6.根据权利要求5所述的制造一半导体装置的方法，其中该函数表示为：该第二参数＝a₁*(该第一参数)+a₂*(该第三参数)+b，其中a₁与a₂是系数，且b是常数；以及其中在一第一半导体晶片上执行该操作该第一工艺工具及该操作该第二工艺工具；以及还包括：

根据该第一参数的该目标值以及该第一参数的该实际值决定该第一参数的一修正目标值；

对应该第一参数的该修正目标值操作在一第二半导体晶片上的该第一工艺工具，该第二半导体晶片不同于该第一半导体晶片；

根据该第三参数的该目标值、该第三参数的该实际值以及该第一参数的该实际值决定该第三参数的一修正目标值；以及

对应该第三参数的该修正目标值操作在该第二半导体晶片上的该第二工艺工具。

7.根据权利要求5所述的制造一半导体装置的方法，其中在一第一半导体晶片上执行该操作该第一制造工具及操作该第二制造工具，以及还包括：

测量该第二参数的一实际值；

决定该第一及第三参数的修正目标值；以及

对应该第一及第三参数的该修正目标值在一第二半导体晶片上操作该第一及第二制造工具，该第二半导体晶片不同于该第一半导体晶片。