[发明专利]光学元件的制造方法及光学元件有效
申请号: | 201010246077.9 | 申请日: | 2010-08-03 |
公开(公告)号: | CN101995590A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 粕谷仁一 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡美能达精密光学株式会社 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 贾成功 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明使对于功能膜的树脂成形部的密合性和该功能膜的耐热性提高了的情况下保持、同时使耐光性提高。本发明公开了对于由具有脂环式结构的树脂构成的树脂成形部50形成了防反射膜的蓝光拾取用的光学元件的制造方法。在该制造方法中,具备以下工序:对于树脂成形部50,以SiO作为蒸镀源、以规定压力导入O2气、同时通过蒸镀处理形成第1SiO层62的工序,以SiO作为蒸镀源、以比形成第1SiO层的工序还低的压力导入O2气、同时通过蒸镀处理形成第2SiO层64的工序,和氧化第1SiO层62和第2SiO层64的工序。 | ||
搜索关键词: | 光学 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光学元件的制造方法,其为对于由具有脂环式结构的树脂构成的树脂成形部形成了功能膜的蓝光拾取用的光学元件的制造方法,其特征在于,具备以下工序:对于所述树脂成形部,以SiO作为蒸镀源、以规定压力导入O2气、同时通过蒸镀处理形成第1SiO层的工序,以SiO作为蒸镀源、以比形成所述第1SiO层的工序还低的压力导入O2气、同时通过蒸镀处理形成第2SiO层的工序,和氧化所述第1SiO层和所述第2SiO层的工序。
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