[发明专利]电阻存储器的形成方法无效
| 申请号： | 201010245321.X | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102347441A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 洪中山;卢炯平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电阻存储器的形成方法，包括：提供基底，所述基底中形成有底电极，所述底电极上形成有反应金属层；对所述反应金属层进行氧化，形成氧化层，所述氧化层包括表面的高价态金属氧化物层和位于所述高价态金属氧化物层下方的低价态金属氧化物层；使用还原剂溶液对所述高价态金属氧化物层进行还原。本发明以简单的工艺方法去除了氧化层表面的高价态氧化物，改善了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底中形成有底电极，所述底电极上形成有反应金属层；对所述反应金属层进行氧化，形成氧化层，所述氧化层包括表面的高价态金属氧化物层和位于所述高价态金属氧化物层下方的低价态金属氧化物层；使用还原剂溶液对所述高价态金属氧化物层进行还原。
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