[发明专利]电阻存储器的形成方法无效

专利信息
申请号: 201010245321.X 申请日: 2010-07-30
公开(公告)号: CN102347441A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 洪中山;卢炯平 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电阻 存储器 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种电阻存储器的形成方法,其特征在于,包括:

提供基底,所述基底中形成有底电极,所述底电极上形成有反应金属层;

对所述反应金属层进行氧化,形成氧化层,所述氧化层包括表面的高价态金属氧化物层和位于所述高价态金属氧化物层下方的低价态金属氧化物层;

使用还原剂溶液对所述高价态金属氧化物层进行还原。

2.根据权利要求1所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,还包括,在所述还原后的高价态金属氧化物层上形成顶电极,并进行退火。

3.根据权利要求2所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述退火的反应温度为100℃至400℃,反应时间为5分钟至30分钟。

4.根据权利要求1所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述反应金属层的材料为铜、铝、钽、钛、镍、铌中的一种。

5.根据权利要求1所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述反应金属层为所述底电极的表面部分。

6.根据权利要求1所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述还原剂溶液为醛类化合物溶液。

7.根据权利要求6所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述醛类化合物溶液的浓度为0.5wt%至40wt%,所述还原的反应温度为0℃至80℃,反应时间为1分钟至30分钟。

8.根据权利要求6所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述醛类化合物溶液为浓度为1wt%至20wt%的甲醛溶液,所述还原的反应温度为20℃至80℃,反应时间为1分钟至30分钟。

9.根据权利要求6所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述醛类化合物溶液为浓度为2wt%至25wt%的乙醛溶液,所述还原的反应温度为20℃至80℃,反应时间为1分钟至30分钟。

10.根据权利要求1所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述高价态金属氧化物层的厚度为2nm至100nm。

11.一种电阻存储器的形成方法,其特征在于,包括:

提供基底,所述基底中形成有至少两个铜栓塞;

在所述基底表面形成介质层;

在至少一个铜栓塞上方的介质层中形成开口,所述开口底部暴露出铜栓塞;

对所述开口下方的铜栓塞的表面部分进行氧化,形成氧化层,所述氧化层包括表面的高价态氧化层和位于所述高价态氧化层下方的低价态氧化层;

使用还原剂溶液对所述高价态氧化层进行还原。

12.根据权利要求11所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,还包括:在所述开口中形成顶电极。

13.根据权利要求12所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述顶电极的材料为钽或氮化钽。

14.根据权利要求11所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述还原剂溶液为醛类化合物溶液。

15.根据权利要求11所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述醛类化合物溶液的浓度为0.5wt%至40wt%,所述还原的反应温度为0℃至80℃,反应时间为1分钟至30分钟。

16.根据权利要求11所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述醛类化合物溶液为浓度为1wt%至20wt%的甲醛溶液,所述还原的反应温度为20℃至80℃,反应时间为1分钟至30分钟。

17.根据权利要求11所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述醛类化合物溶液为浓度为2wt%至25wt%的乙醛溶液,所述还原的反应温度为20℃至80℃,反应时间为1分钟至30分钟。

18.根据权利要求11所述的电阻存储器的形成方法,其特征在于,所述介质层的材料为氮化硅、氮氧化硅、掺氮碳化硅中的一种。

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