[发明专利]在硅衬底上制作台阶生长MgxZn1-xO薄膜的方法无效
| 申请号： | 201010244531.7 | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101969023A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王新;向嵘;李野;王国政;端木庆铎;田景全 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 22001 | 代理人： | 曲博 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 在硅衬底上制作台阶生长MgxZn1-xO薄膜的方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有技术在硅衬底上引入缓冲层，要么在后续生长的MgxZn1-xO薄膜中引入外来杂质，要么造成MgxZn1-xO薄膜中的Mg原子或者Zn原子比例失调。本发明在硅衬底上生长MgxZn1-xO薄膜之前，在硅衬底表面制作规则分布的台阶，硅衬底表面因此被划分为顶层表面、底层表面两种，顶层表面、底层表面高度相差30～200nm，顶层表面面积之和小于底层表面面积之和。本发明用于在硅衬底上直接制备MgxZn1-xO薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 制作 台阶 生长 mg sub zn 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅衬底上制作台阶生长MgxZn1‑xO薄膜的方法，在硅衬底上生长MgxZn1‑xO薄膜，其特征在于，在硅衬底上生长MgxZn1‑xO薄膜之前，在硅衬底表面制作规则分布的台阶，硅衬底表面因此被划分为顶层表面、底层表面两种，顶层表面、底层表面高度相差30～200nm，顶层表面面积之和小于底层表面面积之和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
