[发明专利]在硅衬底上制作台阶生长Mg_xZn_1-xO薄膜的方法无效

申请号：	201010244531.7	申请日：	2010-08-04
公开（公告）号：	CN101969023A	公开（公告）日：	2011-02-09
发明（设计）人：	王新;向嵘;李野;王国政;端木庆铎;田景全	申请（专利权）人：	长春理工大学
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L31/18
代理公司：	长春科宇专利代理有限责任公司 22001	代理人：	曲博
地址：	130022 吉林***	国省代码：	吉林;22
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	衬底制作台阶生长 mg sub zn 薄膜方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种在硅衬底上制作台阶生长Mg_xZn_1-xO薄膜的方法，在硅衬底上生长Mg_xZn_1-xO薄膜，其特征在于，在硅衬底上生长Mg_xZn_1-xO薄膜之前，在硅衬底表面制作规则分布的台阶，硅衬底表面因此被划分为顶层表面、底层表面两种，顶层表面、底层表面高度相差30～200nm，顶层表面面积之和小于底层表面面积之和。

2.根据权利要求1所述的生长Mg_xZn_1-xO薄膜的方法，其特征在于，在硅衬底表面制作规则分布的台阶的过程为：

A、在硅衬底(1)上涂覆一层抗蚀剂(2)；

B、在抗蚀剂(2)上覆盖掩膜版(3)，掩膜版(3)的掩膜(4)图形与欲制作台阶的硅衬底表面的顶层表面图形一致，掩膜版(3)的非掩膜部分(5)图形与欲制作台阶的硅衬底表面的底层表面图形一致；

C、光刻曝光抗蚀剂(2)；

D、显影抗蚀剂(2)，抗蚀剂(2)对应非掩膜部分(5)的部分被溶解，其他部分保留下来；

E、采用腐蚀或者刻蚀的方法加工抗蚀剂(2)被溶解处的硅衬底(1)表面，硅衬底(1)表面因此被划分为顶层表面(6)、底层表面(7)两种，呈现出规则分布的台阶；

3.根据权利要求2所述的生长Mg_xZn_1-xO薄膜的方法，其特征在于，每个非掩膜部分(5)的图形为圆角正方形，边长为0.1～100μm，或者为圆形，直径为0.1～100μm；各个非掩膜部分(5)阵列分布，轮廓相距0.1～100μm。

4.根据权利要求2所述的生长Mg_xZn_1-xO薄膜的方法，其特征在于，所述腐蚀或者刻蚀的方法为湿法腐蚀、干法腐蚀或者反应离子刻蚀等方法之一。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010244531.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。