[发明专利]一种去除硼的硅提纯方法有效
| 申请号： | 201010240349.4 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102344142A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 吴志能;司雷;沈益顺;彭少波 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于硅提纯技术领域，具体公开了一种去除硼的硅提纯方法。该方法包括如下步骤：(1)将硅加热熔融形成硅液，保持硅液温度在1600～1800℃，然后向硅液中通入混合气体，同时加入造渣剂偏硅酸钠，对硅液进行熔炼；该混合气体包括载体气体、氧气以及水蒸气；(2)将熔炼后的硅液，冷却铸锭，切除杂质富集部分。本发明的方法使熔炼时间大大缩短，并且硅原料的损失也大大减小，提高了提纯硅的产率。提纯后的硅中硼含量低，除硼效率高。并且没有新的杂质引入，对于金属杂质也有一定的去除效果，进一步可以提高硅的纯度。本发明的方法所需设备简单，不需要等离子等高能设备，能耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种去除硼的硅提纯方法，其包括如下步骤：(1)将原料硅加热熔融形成硅液，保持硅液温度在1600～1800℃，然后向硅液中通入混合气体和加入造渣剂，对硅液进行熔炼；所述混合气体包括载体气体、氧气以及水蒸气；所述造渣剂为偏硅酸钠；(2)将熔炼后的硅液，冷却铸锭，切除杂质富集部分。
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