[发明专利]一种低损耗介质加载型表面等离子激元光波导无效
| 申请号: | 201010238680.2 | 申请日: | 2010-07-28 |
| 公开(公告)号: | CN102169205A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
| 发明(设计)人: | 郑铮;卞宇生;刘娅;朱劲松 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
| 主分类号: | G02B6/10 | 分类号: | G02B6/10 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种具有低传输损耗和较强光场限制能力的介质加载型表面等离子激元光波导,该波导结构的横截面包括金属基底层(1)、位于金属基底层上的高折射率介质区域(3)、被高折射率介质区域和金属基底层包围的低折射率介质区域(2)以及包层(4)。金属基底层上的高折射率介质区域可显著地缩小该波导结构的光场分布范围,实现对传输光场的二维亚波长约束;同时低折射率介质区域的存在,使得该波导仍能保持较低的传输损耗。所述光波导结构克服了现有介质加载型表面等离子激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾,为超高集成度光波导芯片的实现提供可能。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 损耗 介质 加载 表面 等离子 激元光 波导 | ||
【主权项】:
一种同时具备低传输损耗和较强场约束能力的介质加载型表面等离子激元光波导结构,其横截面包括金属基底层、位于金属基底层上的高折射率介质区域、被高折射率介质区域和金属基底层包围的低折射率介质区域、以及包层;其中,高折射率介质区域的宽度范围为所传输光信号的波长的0.06‑0.4倍,高度范围为所传输的光信号的波长的0.06‑0.4倍,低折射率介质区域与金属基底层相接,且低折射率介质区域的宽度范围为所传输光信号的波长的0.01‑0.39倍,高度范围为所传输的光信号的波长的0.01‑0.3倍;高折射率介质的材料折射率高于低折射率介质以及包层的材料折射率,低折射率介质和包层的材料可为相同材料或不同材料,低折射率介质和包层的材料折射率的最大值与高折射率介质的材料折射率的比值小于0.75。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010238680.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用独立读出放大器电压的存储器读取方法
- 下一篇:使用电磁辐射来去除压电材料





