[发明专利]活性负极极片及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010236401.9 申请日: 2010-07-22
公开(公告)号: CN102054961A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 陈渊;张睿;秦春梅;刘建红;王雅和 申请(专利权)人: 中信国安盟固利动力科技有限公司
主分类号: H01M4/13 分类号: H01M4/13;H01M4/38;C23C14/34;C23C14/06;C23C14/16
代理公司: 北京市京大律师事务所 11321 代理人: 李光松
地址: 102200 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种活性负极极片,是在金属基片上覆盖一活性材料层后再覆盖一缓冲层,活性材料层和缓冲层采用磁控溅射技术制备;活性层为硅和掺杂元素氢、碳、铝、镍、钴、铜之一;缓冲层材料为碳和铝、硼、铁、铜、银之一;活性材料层的厚度为1-20μm。活性负极极片制备方法包括如下步骤:在磁控溅射装置中安放金属基片和靶材;溅射功率选择1000-5000W;保持金属基片温度在100-300℃之间;溅射时间3-6.5小时,其中Si靶溅射时间占用80-90%。本发明活性负极极片及其制备方法,通过Si膜掺杂和大幅度提高磁控溅射功率,所制备的锂离子二次电池具有高充放电容量和优异的循环性能,电化学性能优良,首次充放电效率和放电容量都较之前报道的硅基薄膜负极极片有了很大的提高;而且制作过程简单,提高了生产效率。
搜索关键词: 活性 负极 及其 制备 方法
【主权项】:
一种活性负极极片,其特征在于:在金属基片上覆盖一活性材料层后再覆盖一缓冲层,活性材料层和缓冲层采用磁控溅射技术制备。
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