[发明专利]活性负极极片及其制备方法无效
| 申请号： | 201010236401.9 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102054961A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈渊;张睿;秦春梅;刘建红;王雅和 | 申请（专利权）人： | 中信国安盟固利动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/13 | 分类号： | H01M4/13;H01M4/38;C23C14/34;C23C14/06;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京市京大律师事务所 11321 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 102200 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 活性 负极 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种活性负极极片，其特征在于：在金属基片上覆盖一活性材料层后再覆盖一缓冲层，活性材料层和缓冲层采用磁控溅射技术制备。
2.根据权利要求1所述的活性负极极片，其特征在于：所述活性层为硅和掺杂元素氢、碳、铝、镍、钴、铜之一。
3.根据权利要求2所述的活性负极极片，其特征在于：所述缓冲层材料为碳和铝、硼、铁、铜、银之一。
4.根据权利要求3所述的活性负极极片，其特征在于：所述活性材料层的厚度为1-20μm。
5.一种活性负极极片制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
1)在磁控溅射装置中安放金属基片和靶材；
2)溅射功率选择1000-5000W；
3)保持金属基片温度在100-300℃之间；
4)溅射时间3-6.5小时，其中Si靶溅射时间占用80-90％。
6.根据权利要求5所述的活性负极极片制备方法，其特征在于：所述靶材为Si-掺杂元素混合靶和C靶。
7.根据权利要求6所述的活性负极极片制备方法，其特征在于：所述溅射工作气氛为Ar、H2或C2H2气体。
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