[发明专利]一种硫锑酸根插层水滑石及其制备方法无效
| 申请号： | 201010235534.4 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101914384A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈雪刚;叶瑛;夏枚生;孙杰;谭盛恒;李海晏;李秀悌;张奥博 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C09K21/02 | 分类号： | C09K21/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫锑酸根插层水滑石及其制备方法。水滑石类化合物由于具有特殊的结构组成，在催化剂、吸附剂、阻燃剂、热稳定剂等领域具有重要的用途。通过简单的几个步骤：首先将辉锑矿溶解形成硫锑酸根；随后利用水滑石类化合物的“记忆效应”，将硫锑酸根插层进入水滑石层间，形成硫锑酸根插层水滑石。得到的硫锑酸根插层水滑石综合了水滑石及锑类化合物优异的阻燃性能和热稳定性能，在阻燃剂、热稳定剂领域具有极佳的应用前景。本发明提出的硫锑酸根插层水滑石及其制备方法，其原料来源广泛，工艺流程和原理简单，设备投资少，运行成本低廉，为综合利用我国富藏的含锑矿物及开发新型的阻燃剂和热稳定剂提供了新的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 酸根 插层水 滑石 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硫锑酸根插层水滑石及其制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)将50克辉锑矿粉碎至150μm以下，加入到200～1000mL质量浓度为5％～20％的Na2S或K2S溶液中，搅拌反应0.5～4h；2)产物滤去残渣后，滤液稀释至pH值为8～10。将50～250克普通水滑石在400～600度煅烧2～12h后得到的煅烧产物双金属氧化物加入到滤液中，60～90度条件下隔绝空气或通入保护性气体搅拌反应0.5～6h；产物经过滤、清洗、烘干后即得到硫锑酸根插层水滑石。
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