[发明专利]金氧半导体场效晶体管与肖特基二极管的整合及制作方法

摘要

本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管与肖特基二极管的整合组件，包括一定义有一金属氧化物半导体场效应晶体管区与一肖特基二极管区的半导体基底；复数个设置于所述金属氧化物半导体场效应晶体管区内的第一沟渠与复数个设置于所述肖特基二极管区的第二沟渠。所述第一沟渠包括一覆盖所述第一沟渠底部与侧壁的第一绝缘层与一第一导电层，用以作为一沟渠式金属氧化物半导体场效应晶体管的沟渠式栅极。所述第二沟渠的宽度与深度皆大于所述第一沟渠，其内分别包括一覆盖所述第二沟渠底部与侧壁的第二绝缘层与一第二导电层，且所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层。

主权项

一种整合金属氧化物半导体场效应晶体管与肖特基二极管的半导体组件，其特征在于，包括：一半导体基底，所述半导体基底包括一第一表面与一相对的第二表面，所述第一表面定义有一金属氧化物半导体场效应晶体管区与一肖特基二极管区；复数个一第一沟渠，设置于所述第一表面的所述金属氧化物半导体场效应晶体管区内；一第一绝缘层，覆盖所述第一沟渠底部与侧壁；一第一导电层，填满所述第一沟渠，且用以作为一金属氧化物半导体场效应晶体管的沟渠式栅极；复数个第二沟渠，以及由所述第二沟渠定义的复数个平台，设置于所述第一表面的所述肖特基二极管区内，所述第二沟渠的宽度与深度皆大于所述第一沟渠；一第二绝缘层，覆盖所述第二沟渠底部与侧壁，且所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度；一第二导电层，填满所述第二沟渠；一第一金属层，形成于所述半导体基底的所述第一表面上；以及复数个第一接触插塞，形成于所述第一表面的所述金属氧化物半导体场效应晶体管区内，且电性连接至所述第一金属层。