[发明专利]金氧半导体场效晶体管与肖特基二极管的整合及制作方法

权利要求书

1.一种整合金属氧化物半导体场效应晶体管与肖特基二极管的半导体组件，其特征在于，包括：

一半导体基底，所述半导体基底包括一第一表面与一相对的第二表面，所述第一表面定义有一金属氧化物半导体场效应晶体管区与一肖特基二极管区；

复数个一第一沟渠，设置于所述第一表面的所述金属氧化物半导体场效应晶体管区内；

一第一绝缘层，覆盖所述第一沟渠底部与侧壁；

一第一导电层，填满所述第一沟渠，且用以作为一金属氧化物半导体场效应晶体管的沟渠式栅极；

复数个第二沟渠，以及由所述第二沟渠定义的复数个平台，设置于所述第一表面的所述肖特基二极管区内，所述第二沟渠的宽度与深度皆大于所述第一沟渠；

一第二绝缘层，覆盖所述第二沟渠底部与侧壁，且所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度；

一第二导电层，填满所述第二沟渠；

一第一金属层，形成于所述半导体基底的所述第一表面上；以及

复数个第一接触插塞，形成于所述第一表面的所述金属氧化物半导体场效应晶体管区内，且电性连接至所述第一金属层。

2.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述半导体基底具有一第一掺杂类型。

3.如权利要求2所述的半导体组件，其特征在于，所述半导体基底包括一硅基材以及一形成于所述硅基材上的外延硅层，且所述硅基材的掺杂浓度高于所述外延硅层的掺杂浓度。

4.如权利要求2所述的半导体组件，其特征在于，更包括：

一基体掺杂区，形成于所述第一表面的所述金属氧化物半导体场效应晶体管区内，且邻接所述第一沟渠；

一源极掺杂区，形成于所述基体掺杂区之内，且邻接于所述第一沟渠，用以作为所述金属氧化物半导体场效应晶体管的一源极；以及

一源极接触掺杂区，形成于所述源极掺杂区下方的所述基体掺杂区中，且所述源极接触掺杂区通过所述第一接触插塞与所述第一金属层电性连接。

5.如权利要求4所述的半导体组件，其特征在于，所述基体掺杂区包括一第二掺杂类型，所述源极掺杂区具有所述第一掺杂类型，而所述源极接触区具有所述第二掺杂类型。

6.如权利要求5所述的半导体组件，其特征在于，所述源极掺杂区的掺杂浓度大于所述源极接触掺杂区的掺杂浓度，而所述源极接触掺杂区的掺杂浓度大于所述基体掺杂区的掺杂浓度。

7.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为250～1000埃，而所述第二绝缘层的厚度为2500～5000埃。

8.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，更包括一层间介电层，形成于所述金属氧化物半导体场效应晶体管区内的所述第一表面上。

9.如权利要求8所述的半导体组件，其特征在于，所述第一金属层与所述肖特基二极管区中所述平台的表面接触，用以作为所述肖特基二极管的一阳极。

10.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，更包括一层间介电层，全面性地形成于形成于所述金属氧化物半导体场效应晶体管区与所述肖特基二极管区内的所述第一表面上。

11.如权利要求10所述的半导体组件，其特征在于，更包括复数个第二接触插塞，形成于所述肖特基二极管区内，电性连接所述第一金属层与所述平台，且用以作为所述肖特基二极管的一阳极。

12.如权利要求11所述的半导体组件，其特征在于，所述第二接触插塞包括钨。

13.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述第一接触插塞包括钨。

14.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，更包括一第二金属层，形成于所述半导体基底的所述第二表面上，用以作为所述肖特基二极管的一阴极。