[发明专利]一种用于DNA分子检测的延长栅场效应晶体管传感芯片无效
| 申请号： | 201010226616.2 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101915799A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 曹忠;戴云林;龙姝;龚福春;谭淑珍;杨荣华 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;G01N27/327;C12Q1/68 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410004 湖南省长沙市雨花*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于DNA分子检测的延长栅场效应晶体管传感芯片，其特征在于将场效应晶体管(FET)的栅极设计成延长的结构。所述延长栅结构特征是用铝线作为导线连接着延长出的金平板电极(边长为0.2-1.0mm)。所述金电极结构特征是通过溅射镀膜的方法按从下往上的顺序分别将SiO2层、铬层、镍铜合金层、金层镀上。传感芯片的制备则是利用含巯基基团的分子，将含有与其互补的DNA片段通过硫醇分子的桥连作用自组装在延长的金电极上，制备成检测DNA分子的传感芯片。应用该传感芯片在金基底每100nm2面积上可检测到1-10个DNA分子。传感芯片结构简单，操作简便，通用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 dna 分子 检测 延长 场效应 晶体管 传感 芯片 | ||
【主权项】：
一种用于DNA分子检测的延长栅场效应晶体管传感芯片，其特征在于将场效应晶体管(FET)的栅极设计成延长的结构，利用延长栅金电极探测DNA分子。
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