[发明专利]一种用于DNA分子检测的延长栅场效应晶体管传感芯片

权利要求书

1.一种用于DNA分子检测的延长栅场效应晶体管传感芯片，其特征在于将场效应晶体管(FET)的栅极设计成延长的结构，利用延长栅金电极探测DNA分子。

2.根据权利要求1所述的传感芯片，其特征是将栅极延长0.1-40mm的距离，构建延长栅金平板电极结构。

3.根据权利要求2所述的延长栅结构，其特征是用常规导线(图示中为铝线，还可以是铜线、银线等)连接着延长出的金电极，长和宽边长为0.2-1.0mm。

4.根据权利要求3所述的金电极结构，其特征是通过溅射镀膜的方法按从下往上的顺序分别将SiO₂层、铬层、镍铜合金层、金层镀上，其中SiO₂层为基底，其它层厚度分别为：铬层20-200nm，镍铜合金层100-1000nm，金层30-300nm，且金表面非常平整。

5.根据权利要求1所述的传感芯片，其特征是利用化学反应将已巯基化的DNA探针分子自组装在延长栅的金平板电极上，只需反应1-12h，即可自组装上探针分子，从而完成传感芯片的制备。

6.根据权利要求1所述的传感芯片，其特征是在金平板电极基底每100nm²面积上可检测到1-10个DNA分子。