[发明专利]多晶硅选择性发射极太阳电池制造工艺

摘要

本发明公开了一种多晶硅选择性发射极太阳电池制造工艺，包括将多晶硅片进行表面去损伤、制绒处理、扩散制结；在发射层上根据金属化图形区域丝网印刷回蚀阻挡浆料并预烘干；将上述金属化区域印刷了回蚀阻挡浆料的硅片局部去除磷硅玻璃后进行局部湿法化学回蚀；去除回蚀阻挡浆料；pn结隔离同时去除磷硅玻璃；表面淀积SiNx或SiO2/SiNx膜进行表面钝化；再印刷背面电极，印刷铝背场，形成正面金属化电极，烧结成为多晶选择性发射极太阳电池成品。本发明回蚀采用氢氟酸和硝酸的混合液，回蚀后表面无多孔硅产生，表面形貌不变；由于只有一次高温过程，工艺简单，生产效率高，能耗低，适于工业化大规模生产。

主权项

一种多晶硅选择性发射极太阳电池制造工艺，其特征是：依次包括下列步骤：(1)将多晶硅片进行表面去损伤、制绒处理，然后进行扩散制结；(2)在发射层上根据金属化图形区域丝网印刷回蚀阻挡浆料并预烘干；(3)将上述金属化区域印刷了回蚀阻挡浆料的硅片局部去除磷硅玻璃后进行局部湿法化学回蚀；(4)去除回蚀阻挡浆料；(5)pn结隔离同时去除磷硅玻璃；表面淀积SiNx或SiO2/SiNx膜进行表面钝化；再印刷背面电极，印刷铝背场，形成正面金属化电极，烧结成为多晶选择性发射极太阳电池成品。