[发明专利]多晶硅选择性发射极太阳电池制造工艺

权利要求书

1.一种多晶硅选择性发射极太阳电池制造工艺，其特征是：依次包括下列步骤：

(1)将多晶硅片进行表面去损伤、制绒处理，然后进行扩散制结；

(2)在发射层上根据金属化图形区域丝网印刷回蚀阻挡浆料并预烘干；

(3)将上述金属化区域印刷了回蚀阻挡浆料的硅片局部去除磷硅玻璃后进行局部湿法化学回蚀；

(4)去除回蚀阻挡浆料；

(5)pn结隔离同时去除磷硅玻璃；表面淀积SiNx或SiO2/SiNx膜进行表面钝化；再印刷背面电极，印刷铝背场，形成正面金属化电极，烧结成为多晶选择性发射极太阳电池成品。

2.根据权利要求1所述的多晶硅选择性发射极太阳电池制造工艺，其特征是：所述将金属化区域印刷了回蚀阻挡浆料的硅片局部去除磷硅玻璃后进行局部湿法化学回蚀。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅选择性发射极太阳电池制造工艺，其特征是：采用50％-100％酒精超声结合去离子水溢流的方法去除回蚀阻挡浆料。