[发明专利]用于形成屏蔽栅极沟槽FET的结构和方法有效
| 申请号： | 201010225160.8 | 申请日： | 2007-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101908562A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 内森·克拉夫特;克里斯多佛·博古斯洛·科库;保尔·托鲁普 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管(FET)包括延伸进入半导体区域的多个沟槽。每个沟槽包括栅极电极和屏蔽电极，其间含有极间电介质，其中，屏蔽电极和栅极电极电连接在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 屏蔽 栅极 沟槽 fet 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：多个沟槽，延伸进入半导体区域；屏蔽电极，位于每一沟槽的下部，所述屏蔽电极通过屏蔽电介质而与所述半导体区域绝缘；极间电介质，位于每一沟槽中的所述屏蔽电极上方；体区域，在每一对邻近沟槽之间延伸；栅极电极，凹陷于所述极间电介质上方的每一沟槽上部，所述栅极电极通过栅极电介质而与相应的体区域绝缘；源极区，位于邻近所述沟槽的每一体区域中，所述源极区的导电型与所述体区域的导电型相反；第一互联层，使所述源极区与所述体区域接触；以及介电材料，使每一栅极电极与第二互联层彼此绝缘；其中，所述多个沟槽在所述场效应晶体管的有源区中延伸，所述屏蔽电极和栅极电极延伸到每一沟槽之外并延伸进入所述场效应晶体管的无源区，其中所述屏蔽电极和栅极电极通过所述第二互联层而电连接在一起，并且所述屏蔽电极与栅极电极之间的所述电连接是通过形成于所述无源区的栅极滑槽区中的周期性接触开口而进行的。
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