[发明专利]复合掩模及其制作方法有效
| 申请号： | 201010223464.0 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102314075A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F1/00;H01L21/027;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种复合掩模及其制作方法，其中制作方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底表面形成具有第一条形图案的第一掩模层；在第一掩模层以及半导体衬底的表面形成第二掩模层，所述第二掩模层具有垂直于所述第一条形图案的第二条形图案，所述第二掩模层与第一掩模层的材质不相同；以第二掩模层为掩模刻蚀所述第一掩模层直至露出半导体衬底；采用定向的离子注入工艺轰击第二掩模层的其中一侧面，形成硬化侧壁；采用等离子刻蚀工艺对第二掩模层进行外形修正，减小所述第二掩模层的宽度，露出底部的第一掩模层。与现有技术相比，本发明形成的复合掩模避免了光学邻近效应产生的图形畸变，适合用于制作小特征尺寸的狗骨状互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种复合掩模的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成具有第一条形图案的第一掩模层；在所述第一掩模层以及半导体衬底的表面形成第二掩模层，所述第二掩模层具有垂直于第一条形图案的第二条形图案，所述第二掩模层与第一掩模层的材质不相同；以第二掩模层为掩模刻蚀所述第一掩模层直至露出半导体衬底；采用定向的离子注入工艺轰击第二掩模层的其中一侧面，形成硬化侧壁；采用等离子刻蚀工艺对第二掩模层进行外形修正，减小所述第二掩模层的宽度，露出底部的第一掩模层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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