[发明专利]复合掩模及其制作方法

权利要求书

1.一种复合掩模的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成具有第一条形图案的第一掩模层；

在所述第一掩模层以及半导体衬底的表面形成第二掩模层，所述第二掩模层具有垂直于第一条形图案的第二条形图案，所述第二掩模层与第一掩模层的材质不相同；

以第二掩模层为掩模刻蚀所述第一掩模层直至露出半导体衬底；

采用定向的离子注入工艺轰击第二掩模层的其中一侧面，形成硬化侧壁；

采用等离子刻蚀工艺对第二掩模层进行外形修正，减小所述第二掩模层的宽度，露出底部的第一掩模层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一条形图案至少包括两条相互平行的线条图形。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩模层为硬掩模。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述形成第一掩模层的方法包括：

在半导体衬底形成第一掩模层；

在第一掩模层的表面形成图形化的光刻胶，所述光刻胶图形为线条图形；

以所述光刻胶为掩模，采用等离子刻蚀工艺形成第一掩模层，并去除所述光刻胶。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二条形图案至少包括两条相互平行的线条图形。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二掩模层为光刻胶。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述形成第二掩模层的方法包括：

在第一掩模层以及半导体衬底的表面旋涂光刻胶；

对所述光刻胶曝光图形化，形成垂直于第一条形图案的第二条形图案。

8.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述复合掩模用于刻蚀形成互连结构，所述外形修正将所述线条图形宽度减小至互连结构中有源连线的宽度。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述离子注入工艺中，离子的轰击方向与第二掩模层侧壁的夹角为7～15度。

10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述离子注入工艺采用的离子种类为Ar离子或P离子。

11.一种复合掩模，形成于半导体衬底表面，其特征在于，包括：

位于半导体衬底表面的具有方块状图案的第一掩模层；

位于第一掩模层部分表面且延伸至半导体衬底表面的具有条形图案的第二掩模层；

位于所述第二掩模层其中一侧面的硬化侧壁，所述硬化侧壁与底部的第一掩模层的对应侧面相平齐。

12.如权利要求11所述的复合掩模，其特征在于，所述条形图案至少包括两条相互平行的线条图形。

13.如权利要求12所述的复合掩模，其特征在于，位于所述各线条图形的第二掩模层底部，至少包括两个方块状图案第一掩模层。

14.如权利要求11所述的复合掩模，其特征在于，所述第一掩模层为硬掩模。

15.如权利要求11所述的复合掩模，其特征在于，所述第二掩模层为光刻胶。

16.如权利要求11所述的复合掩模，其特征在于，所述复合掩模用于刻蚀形成互连结构，所述线条图形的宽度等于互连结构中有源连线的宽度。