[发明专利]一种使用球形沟槽的功率器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010223220.2 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102315264A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;刘磊;刘伟 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215230 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用球形沟槽的功率器件。圆形或者椭圆形的沟槽底部，使得电场的分布更加分散，降低了凹槽底部的最大电场。在沟道处使用薄的栅介质层，在圆形或椭圆形的沟槽底部使用厚的栅介质层，减小了栅极寄生电容，从而降低了开关功耗，提高了器件的开关速度。同时，本发明还公开了一种使用球形沟槽的功率器件的制造方法，采用牺牲介质层保护栅极处的硅表面，使沟道处的薄栅介质层可以自对准地形成，工艺过程简单，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 球形 沟槽 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种使用球形沟槽的N型MOS功率器件，包括：一个半导体衬底；位于所述半导体衬底部的漏区；位于所述半导体衬底内的凹槽结构；覆盖在所述凹槽之内的栅极；位于所述栅极与半导体衬底之间的栅介质层；位于所述凹槽两侧的，衬底顶部的源区；将所述源区和漏区隔开的P型掺杂阱；以及将所述P型掺杂阱引出到半导体衬底顶部的高浓度P型掺杂区；其特征在于，所述凹槽的下半部分嵌在漏区中并呈圆形或者椭圆形；所述P型掺杂阱被所述凹槽隔开处的垂直表面形成所述功率器件的垂直沟道；位于所述凹槽下半部分处的栅介质层厚度明显厚于所述垂直沟道处的栅介质层厚度。
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