[发明专利]一种太阳能电池片制备中的扩散工艺无效
| 申请号： | 201010219123.6 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315310A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 滕美玲;胡宇宁 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能电池片制备中的扩散工艺。步骤包括：a、将硅片于氮气气氛下低温热处理；b、将步骤a所得处理后的硅片在860-1200℃于C2H2Cl2、氮气和氧气气氛下进行氧化处理；c、将步骤b所得处理后的硅片通磷源在氮气和氧气氛围下进行磷扩散处理；d、将步骤c所得处理后的硅片在800-900℃于氮气和氧气混合气氛下进行驱入处理；e、将步骤d所得处理后的硅片在氮气气氛中进行退火处理。能制备质量完美的PN结，太阳能电池片的光电转化效率更高，且提高太阳能电池片的可靠性和稳定性，也能较高质量的降低硅片表面的复合中心和提高少数载流子寿命。本发明进一步提高了扩散工艺的除杂效果，且工艺简单易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制备 中的 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池片制备中的扩散工艺，其特征在于，步骤包括：a、将硅片于氮气气氛下低温热处理；b、将步骤a所得处理后的硅片在860‑1200℃于C2H2Cl2、氮气和氧气气氛下进行氧化处理；c、将步骤b所得处理后的硅片通磷源在氮气和氧气氛围下进行磷扩散处理；d、将步骤c所得处理后的硅片在800‑900℃于氮气和氧气混合气氛下进行驱入处理；e、将步骤d所得处理后的硅片在氮气气氛中进行退火处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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