[发明专利]一种太阳能电池片制备中的扩散工艺

权利要求书

1.一种太阳能电池片制备中的扩散工艺，其特征在于，步骤包括：

a、将硅片于氮气气氛下低温热处理；

b、将步骤a所得处理后的硅片在860-1200℃于C₂H₂Cl₂、氮气和氧气气氛下进行氧化处理；

c、将步骤b所得处理后的硅片通磷源在氮气和氧气氛围下进行磷扩散处理；

d、将步骤c所得处理后的硅片在800-900℃于氮气和氧气混合气氛下进行驱入处理；

e、将步骤d所得处理后的硅片在氮气气氛中进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述步骤b中氧气的流量为4-5L/min，C₂H₂Cl₂的流量为0.05-0.25L/min。

3.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述步骤b氧化处理后形成的氧化层的厚度为5-60nm。

4.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述氧化处理的时间为10-25min。

5.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述步骤a的低温热处理的温度为650-750℃，时间为10-30min；

所述步骤c的磷扩散处理的温度为800-900℃，时间为10-50min；

所述步骤d的驱入处理的时间为10-50min；

所述步骤e的退火处理的温度为700-800℃，时间为30-60min。

6.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述步骤c所得处理后的硅片的电阻为50-60欧姆，在硅片表面形成的PN结的结深为0.2-0.6微米。

7.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述步骤a中的氮气流量为4-10L/min

所述步骤b中的氮气流量为4-10L/min(有)；

所述步骤c中的氮气流量为4.5-11.5L/min，氧气流量为0.2-1L/min；

所述步骤d中的氮气流量为4-10L/min，氧气流量为0.2-2L/min；

所述步骤e中的氮气流量为6-15L/min。