[发明专利]一维纳米材料植入金属电极表面的方法有效
| 申请号： | 201010210005.9 | 申请日： | 2010-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101880025A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 丁桂甫;邓敏;王艳;崔雪梅 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米材料技术领域的一维纳米材料植入金属电极表面的方法，首先对一维纳米材料进行包含切短、纯化、表面改性的预处理；然后将预处理后的一维纳米材料与聚合物介质混合后进行研磨；并将研磨后的混合体进行除气处理；再将处理后的一维纳米材料和聚合物介质的混合体流平在基片上；并烘胶固化复合薄膜，并经磨平抛光后使用刻蚀液对整平后的复合薄膜表层进行化学刻蚀；最后在刻蚀过的复合薄膜上依次进行沉积处理和电镀处理，采用刻蚀剂释放聚合物介质，获得一维纳米材料植入金属电极表面。本发明能使一维纳米材料一部分根植于在金属中，与金属形成牢固结合，其余部分暴露在外，最终使一维纳米材料形成植入并均匀分布在金属表层的植布效果。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 材料 植入 金属电极 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种一维纳米材料植入金属电极表面的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步、对一维纳米材料进行包含切短、纯化、表面改性的预处理；第二步、将预处理后的一维纳米材料与聚合物介质混合后进行研磨；第三步、将研磨后的混合体进行除气处理；第四步、将处理后的一维纳米材料和聚合物介质的混合体流平在基片上；第五步、烘胶固化复合薄膜，并经磨平抛光后使用刻蚀液对整平后的复合薄膜表层进行化学刻蚀；第六步、在刻蚀过的复合薄膜上依次进行沉积处理和电镀处理；第七步、采用刻蚀剂释放聚合物介质，获得一维纳米材料植入金属电极表面。
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